小功率MOS管SOP-8/Dual-N规格书下载

小功率MOS管SOP-8/Dual-N

小功率MOS管SOP-8/Dual-N

面议

SOP-8

合科泰

小功率mos管采用先进地 沟槽技术;低的RDS和低栅极电位;具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强

400-688-3313

小功率mos管适用开关电源、输入高阻抗的电子电路中

小功率mos管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。

产品分类 封装 型号(Type) Polarity VDS VGS IDS PD RDS(10V) RDS(4.5V) RDS(2.5V) RDS(1.8V) RDS(1.5V) REPLACEMENT TYPE PDF下载
(V) V (A) (W) (MΩ) (MΩ) (MΩ) (MΩ) (MΩ
小功率mos管Dual-N SOP-8 HOS9926 Dual-N 20 12 7.6 2 23 26 34 52 - 9926 blob.png
HOS4812 Dual-N 30 20 6 2 30 42 - - - 4812 blob.png
HOS4832 Dual-N 30 20 10 2 13 17.5 - - - 4832 blob.png
HOS4838 Dual-N 30 20 11 2 9.6 13 - - - 4838 blob.png
HOS4840 Dual-N 40 20 6 2 30 38 - - - 4840 blob.png
HOS4842 Dual-N 30 20 7.7 2 22 32 - - - 4842 blob.png
HOS4850 Dual-N 75 25 3.1 2 130 165 - - - 4850 blob.png
HOS4852 Dual-N 60 20 3 1.4 90 105 - - - 4852 blob.png
HOS4854 Dual-N 30 20 8 2 19 23 - - - 4854 blob.png