小功率MOS管TSSOP-8/Dual-N规格书下载

小功率MOS管TSSOP-8/Dual-N

小功率MOS管TSSOP-8/Dual-N

面议

TSSOP-8

合科泰

小功率mos管采用先进地 沟槽技术;低的RDS和低栅极电位;具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强

400-688-3313

小功率mos管适用开关电源、输入高阻抗的电子电路中

MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。

产品分类 封装 型号(Type) Polarity VDS VGS IDS PD RDS(10V) RDS(4.5V) RDS(2.5V) RDS(1.8V) RDS(1.5V) REPLACEMENT TYPE PDF下载
(V) V (A) (W) (MΩ) (MΩ) (MΩ) (MΩ) (MΩ
低电压mos管 Dual-N TSSOP-8 HOP8205 Dual-N 19.5 10 6 1.5 - 21 27 - - 8205 blob.png
HOP8808A Dual-N 20 12 8 1.4 14 15 20 28 0 8808A blob.png
HOP8810 Dual-N 20 8 7 1.5 - 20 23 28 - 8810 blob.png